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300mmDRAM晶圆搭建亚微米键合后对准精度:AOA在线官网

2020-12-13 01:51:02
本文摘要:方式是在EVGGeminiFB商品结合键合机和SmartViewNT键合对准机里应用Ziptronix的DBI混和键合技术。Ziptronix的顶尖技术官担任工程项目高级副总裁PaulEnquist答复:DBI混和键合技术的特性也不受相接间隔的允许,只务必可进行精确测量的必需的对准和合理布局专用工具,而它是以前依然没能解决困难的难点。

二零一四年5月28日,密苏里州三角科学研究园ZiptronixInc.与EVGroup(全名EVG)今天宣布已顺利地在顾客获得的300mmDRAM晶圆搭建亚微米键合后对准精度。方式是在EVGGeminiFB商品结合键合机和SmartViewNT键合对准机里应用Ziptronix的DBI混和键合技术。

这类方式可作为生产制造各种各样运用于的微间隔三维集成电路芯片,还包含局部变量储存器、高級光学镜头和局部变量式系统软件处理芯片(SoC)。  Ziptronix的顶尖技术官担任工程项目高级副总裁PaulEnquist答复:DBI混和键合技术的特性也不受相接间隔的允许,只务必可进行精确测量的必需的对准和合理布局专用工具,而它是以前依然没能解决困难的难点。EVG的结合键合机器设备历经提升后搭建了完全一致的亚微米键合后对准精度,此对准精度上的改进为大家的技术的批量生产(HVM)刮平了路面。

键合

  新一代三维技术的间隔精确测量预估将不容易不断很多年。微间隔混和键合已运用于性能卓越的三维运行内存商品,并已宣布批量生产三维光学镜头。DBI混和键合可用在晶体或晶圆级;殊不知,晶圆级键通根据一次键合全部晶体搭建了巨大的成本费优点。因为绝大多数DBI混和键通在晶圆级进行应急处置,故具有较低总具有成本费的优点。

  EVG的执行技术主管PaulLindner答复:亚微米精度针对在更为广泛运用的批量生产中搭建微间隔相接是尤为重要的。伴随着领域拓张三维集成电路芯片的发展趋势,我们与Ziptronix合作开发生产制造计划方案,共同奋斗为顾客获得难以想象的可选择使用价值。

  Ziptronix必需键合点到点(DBI)混和键通是一种电导体/电解介质键合技术,还包含各种各样金属材料/金属氧化物和/或氮化合物的人组,不需要用以黏合剂,是现阶段销售市场上适合批量生产的技术。此技术必须对铜/铜或别的金属键通搭建超强力、常温下绝缘层键合、超低温导电性键合和微间隔点到点,由于在绝缘层和导电性表层中间皆进行键合,所以能合理地键合全部衬底页面地区。  EVG作为规范化对准的SmartViewNT全自动键合对准系统软件获得了一种晶圆级的面与面中间对准的特有方式,它是在多晶圆添充中超出技术设备技术所需要精度回绝的重要。

除开提升 SmartViewNT键合对准机的对准作用以超出亚微米级的精度,EVG进行提升,促使表层能够另外为键合、保护接地性和冲击韧性做好准备。  企业将于二零一四年5月27-30日在加利福尼亚州布纳维斯塔湖举行的二零一四年电子元器件与技术大会(ECTC2014)上展览会此项技术。


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